IGBT-Modul, GD950HTX75P6HLBT Starpower

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

950

A

I C

Kollektorstrom @ T K =110 o C

450

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1900

A

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T K = 75 o C T j =175 o C

1162

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

750

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

950

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1900

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, T j =25 o C

1.25

1.50

V

I C = 450 A, V GE =15V, T j =150 o C

1.35

I C = 450 A, V GE =15V, T j =175 o C

1.40

I C =950A,V GE =15V, T j =25 o C

1.60

I C =950A,V GE =15V, T j =175 o C

2.05

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.0

5.7

7.0

V

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , T j =175 o C

3.5

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

42.1

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.80

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.18

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =400V,I C =450A, V GE =-8...+15V

3.01

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω, L S =24 nH V GE =-8V/+15V,

T j =25 o C

126

nS

t r

Aufstiegszeit

62

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

639

nS

t k

Herbstzeit

149

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

25.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω, L S =24 nH V GE =-8V/+15V,

T j =150 o C

136

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

715

nS

t k

Herbstzeit

221

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

22.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

31.0

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω, L S =24 nH V GE =-8V/+15V,

T j =175 o C

138

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

739

nS

t k

Herbstzeit

227

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

24.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

5100

A

T j =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

t P ≤3μs, V GE =15V,

T j =175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K = 450 A, V GE =0V,T j =25 o C

1.40

1.65

V

I K = 450 A, V GE =0V,T j =1 50o C

1.35

I K = 450 A, V GE =0V,T j =1 75o C

1.30

I K =950A,V GE =0V,T j =25 o C

1.75

I K =950A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.75

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=7070A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =25 o C

16.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

254

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.03

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=6150A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =150 o C

36.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

320

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.49

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=6010A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =175 o C

40.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

338

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.5

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

p

Maximaler Kühldruck schönheit

T ausfallplatte < 40 o C

T ausfallplatte 40o C

(relativer Druck)

2.5 2.0

stange

R die

Junction -bis zu -Kühlung Wasser (proIGBT ) Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T K = 75 o C

0.075 0.118

0.086 0.136

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht von Modul

750

g