Kurze Einführung
Hochspannungs-Einzel-Schalter-IGBT-Module, die von CRRC hergestellt werden. 3300V 1000A.
Schlüssel Parameter
V CES |
3300 V |
V CE (sitz ) |
(typisch) 2.40 V |
I C |
(Max) 1000 A |
I C( RM ) |
(Max) 2000 A |
Typische Anwendungen
- Traktionsantriebe
- Motorsteuerungen
-
Smart Raster
-
Hoch Zuverlässigkeit Wechselrichter
Typische Anwendungen
- Traktionsantriebe
- Motor
- Motorsteuerungen
- Smart Grid
- Hochverlässlicher Wechselrichter
Absolute Höchstbewertung
(Symbol) |
(Parameter) |
(Prüfbedingungen) |
(Wert) |
(Einheit) |
VCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
3300 |
V |
VGES |
Spannung des Tor-Emitters |
TC= 25 °C |
± 20 |
V |
I C |
Sammler-Emitterstrom |
TC = 95 °C |
1000 |
A |
IC(PK) |
Spitzenstrom des Kollektors |
t P= 1ms |
2000 |
A |
P max |
Max. Transistorenleistungsabbau |
Tvj = 150 °C, TC = 25 °C |
10.4 |
kW |
1t |
Diode I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
Schnüren |
Isolationsspannung pro Modul |
Gemeinsame Anschlüsse zur Grundplatte),
AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C
|
6000 |
V |
Q PD |
Teilweise Entladung pro Modul |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
pC |
Elektrische Eigenschaften
(Symbol) |
(Parameter) |
(Prüfbedingungen) |
(Min) |
(typisch) |
(Max) |
(Einheit) |
|
I CES
|
Sammler-Abschlusstrom
|
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
mA |
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
|
|
60 |
mA |
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
|
|
100 |
mA |
I GES |
Durchlässigkeit des Tores
|
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
VGE (TH) |
Schrankschwellenspannung |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
V |
|
VCE
|
(*1) (sat)
|
Sättigung des Sammler-Emitters
spannung
|
VGE= 15V, I C= 1000A |
|
2.40 |
2.90 |
V |
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
|
2.95 |
3.40 |
V |
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
|
3.10 |
3.60 |
V |
I F |
Diodenvorwärtsstrom |
DC |
|
1000 |
|
A |
I FRM |
Diode maximale Vorwärtsstrom
|
t P = 1ms |
|
2000 |
|
A |
|
VF(*1)
|
Diodenvorwärtsspannung
|
I F= 1000A |
|
2.10 |
2.60 |
V |
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
V |
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
V |
C ies |
Eingangskapazität
|
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
170 |
|
nF |
Q g |
Gate-Ladung |
±15V |
|
17 |
|
μC |
C res |
Rückwärtsübertragungs-Kapazität |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
4 |
|
nF |
L M |
Modulinduktivität
|
|
|
15 |
|
nH |
R INT |
Interne Transistorwiderstand |
|
|
165 |
|
μΩ |
|
I SC
|
Kurzschlussstrom, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs,
VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9
|
|
3900
|
|
A
|
td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
I C =1000A
VCE =1800V
C GE = 220nF
L ~ 150nH
VGE = ±15V
RG(ON) = 1.5Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
1800 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
530 |
|
nS |
E OFF |
Energieverlust bei Abschaltung |
|
1600 |
|
mJ |
die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
|
680 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
320 |
|
nS |
EON |
Einschaltenergieverlust |
|
1240 |
|
mJ |
Q rr |
Diode Rückwärtswiederherstellungsladung |
I F =1000A
VCE =1800V
diF/dt =3300A/us
|
|
780 |
|
μC |
I rr |
Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom |
|
810 |
|
A |
E rec |
Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie |
|
980 |
|
mJ |
td (ausgeschaltet) |
Verzögerungszeit für die Abschaltung |
I C =1000A
VCE =1800V
C GE = 220nF
L ~ 150nH
VGE = ±15V
RG(ON) = 1.5Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
1940 |
|
nS |
t f |
Herbstzeit |
|
580 |
|
nS |
E OFF |
Energieverlust bei Abschaltung |
|
1950 |
|
mJ |
die Daten sind nicht verfügbar. |
Verzögerungszeit der Einleitung |
|
660 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
340 |
|
nS |
EON |
Einschaltenergieverlust |
|
1600 |
|
mJ |
Q rr |
Diode Rückwärtswiederherstellungsladung |
I F =1000A
VCE =1800V
diF/dt =3300A/us
|
|
1200 |
|
μC |
I rr |
Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom |
|
930 |
|
A |
EN
