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IGBT-Modul 4500V

IGBT-Modul 4500V

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Presspaket 4500V 3000A IEGT-Modul, StakPak-Paket Anwendung für elektrische Energieübertragung und -verteilung, Motorsteuerungen, Hochleistungs-Schalttechnik

4500V 3000A

Brand:
YT
Spu:
YT-IEGT3000A 4500V
Appurtenance:

Produktbroschüre:Herunterladen

  • Einführung
Einführung

Kurze Einführung:

Press-Paket IGBT-Modul 4500V 3000A, runde Bauform. Kundenspezifische Fertigung durch YT.

Diese Serie von produkte weist eine hohe Robustheit auf, hohe Zuverlässigkeit, hohe Kurzschlussfestigkeit, hohe thermische Wechselfestigkeit, geringe Streuinduktivität, beidseitige Kühlung – wartet auf exzellente Eigenschaften. Wird breit eingesetzt im MMC-HVDC-Ventil, HVDC-flexiblen Systemen, Gleichstrom-Leistungsschalter, Offshore-Windenergie, Offshore-Windenergie, großskalige Industrieantriebe.

Merkmale

  • Hohe Zuverlässigkeit durch hermetische Versiegelungsstruktur
  • Kühlung beidseitig
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • Hohe Kurzschlussfestigkeit y

Anwendungen

  • Elektrische Energieübertragung und -verteilung
  • HVDC flexibles System
  • Hochleistungsschaltung
  • Motorsteuerung s

Absolut Maximum Kennwerte (Hinweis) (T c = 25 , es sei denn sonstige spezifiziert)

Eigenschaften

Symbol

Hinweis

Prüfbedingungen

Leistung

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

VCES

4500

V

Spannung des Tor-Emitters

V GES

±20

V

Kollektorstrom (Gleichstrom)

IC

(Anmerkung 1)

3000

A

Kollektorstrom (gepulst)

ICP

(Hinweis 2)

6000

A

Leistungsverlust im Kollektor

PC

(Hinweis 3)

T f = 25 ℃

25879

W

Junction-Temperatur

Tj

-40 bis 150

Betriebstemperatur der Sperrschicht

Tj(opr)

-40 bis 125

Gehäusetemperatur

TC

-40 bis 85

Lagertemperatur

Tstg

-40 bis 125

Montagekraft

59 bis 70

kN

Elektrische Charakt eristik

Eigenschaften

Symbol

Prüfbedingungen

Min

- Das ist typisch.

Max

Einheit

Gate-Emitter Leckstrom

IGES

V GE = ±20 V, VCE = 0 V, Tj = 25 ℃

±100

nA

Kollektor-Emitter Abschaltstrom

ICES

VCE = 4500 V, V GE = 0 V, Tj = 25 ℃

0.2

mA

Gate-Emitter-Sperrspannung

V GE(off)

IC = 3,0 A, VCE = 5 V, Tj = 25 ℃

6.70

7.20

7.70

V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (Sat)

IC = 3000 A, V GE = 15 V, Tj = 25 ℃

2.10

V

IC = 3000 A, V GE = 15 V, Tj = 150 ℃

2.60

3.05

Eingangskapazität

Cies

VCE = 10 V, V GE = 0 V, f = 100 kHz, Tj = 25 ℃

402

nF

Schaltzeit (Anstiegszeit)

tr

V CC = 2800 V, IC = 3000 A,

V GE = ±15 V, RG(on) = 2,2 Ω , RG(off) = 39 Ω , Tj = 150 ℃

(Induktive Last, Diode: 3000GXHH32, Ls ≈

300 nH)

Siehe Abb. 6.1 und Abb. 6.2

0.44

μs

Schaltzeit (Einschaltverzögerungszeit)

die Daten sind nicht verfügbar.

0.38

μs

Schaltzeit (Einschaltzeit)

tonnen

0.82

μs

Schaltzeit (Abfallzeit)

tF

2.20

μs

Schaltzeit (Ausschaltverzögerungszeit)

td (ausgeschaltet)

11.40

μs

Schaltzeit (Ausschaltzeit)

toff

13.60

μs

Einschalt-Schaltverluste

EON

8.00

J

Ausschalt-Schaltverluste

E OFF

20.00

J

Kurzschlussimpulsbreite

tpsc

V CC = 3400 V, V GE = ±15 V,

RG(on) = 2,2 Ω , RG(off) = 39 Ω , Ls ≈ 150 nH

Tj = 125 ℃

10

μs

Schaltungsanordnung

Gliederung

Gut ausgestattetes Labor

Wir verfügen über ein gut ausgestattetes Labor zur Prüfung und kontrollieren streng die Qualität unserer Produkte. Dadurch wird sichergestellt, dass die Konformitätsrate der an unsere Kunden ausgelieferten Produkte 100 % erreicht.

Automatisierte moderne Fabrik

Die moderne automatisierte Fabrik stellt sicher, dass alle Leistungsindikatoren unserer Produkte hochgradig konsistent sind und die Unterschiede zwischen den Parametern jedes Produkts so gering wie möglich gehalten werden. Dies garantiert nicht nur die Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit unserer Produkte, sondern ist auch eine wichtige Voraussetzung für den sicheren und zuverlässigen Betrieb der Anlagen unserer Kunden.

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Ausreichende Produktionskapazität

Die starke Gesamtstärke des Herstellers und ausreichende Produktionskapazitäten gewährleisten die termingerechte Lieferung jeder Bestellung.

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Anwendungsfall:

Weltweit erste VSC-HVDC mit vollständiger Fehlerselbstheilungsfähigkeit.

Kundensorgenpunkte:

  1. Extrem kalte Bedingungen
    ● Modulausfallrate stieg auf 15 % bei -35 ℃ (Winterereignis 2018)
    IGBT-Latch-up verursachte Abschaltung des Umrichterwerks → Umsatzausfall von 420.000 $/Stunde
    2. Vibrationsermüdung
    Lötverbindungsrisse in herkömmlichen Modulen nach 10⁹ mechanischen Belastungszyklen
    Erzwungene Stilllegung zur Wartung 3-mal/Jahr (Durchschnittliche Stillstandszeit 37 Stunden)
    3. Langsame Fehlerbehebung
    4+ Stunden zum Austausch eines einzelnen defekten Moduls → Verzögerte Netzwiederherstellung
  2. YT3000ASW45CZ's Konstruktive Durchbrüche
Problemstelle Unsere Lösung Innovation
Kältebedingte Ausfälle Ag-Sinterverklebung mit Die-Bond (-50℃ stabiler Betrieb) Material: Vermeidet organische Klebstoffe
Kupfer-Molybdän-Verbundsockel (Wärmeausdehnungskoeffizient an Siliziumchips angepasst)
Vibrationschäden Federbelasteter Press-Pack (Mechanischer Druck 30 kN) Struktur: Keine Lötstellen
Bestandenen IEC 60068-3-8 Vibrationstest (10g/2000Hz, 20 Zyklen)
Langsame Wartung Hot-Swap-Kartuschendesign (werkzeugloser Austausch in 8 Minuten) Patent: CN202310XXXXXX
FWD Schaltverluste Si-FRD Hybriddiode (Qrr=38μC vs. 75μC Wettbewerber) Energie: 20% geringere Abschaltverluste



Quantifizierte Ergebnisse (2021-2024)

✅ 0% Kaltstartausfall bei -38,5°C (extremes Wetter 2023)
✅ Vibrationsbedingte Störungen: 0 nach 3 Jahren (gegenüber 5,2% bei Legacy-Systemen)
✅ Wartungsausfallzeit: Um 89 % reduziert (Ersparnis von 1,7 Mio. USD/Jahr)
✅ Systemeffizienz: 99,28 % (Weltrekord für 500-kV-VSC-HVDC)

3. Warum globale Kunden diesem Fall vertrauen

Alle Umweltinformationen stammen aus offiziellen Berichten der chinesischen Regierung
Keine Übertreibung: Zhangbei ist kalt und liegt in einer Erdbebenrisikozone, aber nicht direkt auf einer "aktiven Verwerfungslinie"

Unabhängige Drittzertifizierung

  • DNV-GL-Zertifizierung (Nr. DNL-2022-1894): Bestätigt 100.000 thermische Zyklen
  • CESI-Prüfbericht (TR-2023-017): Bestätigt 50 kA/3 ms Kurzschlussstrombelastbarkeit
  • State Grid Weißbuch : "Press-Pack-IGBTs senken die Betriebskosten um 37 %" (Seite 26)

Warum uns wählen?

Beijing World E To Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter von Halbleiterprodukten wie IGBT-Modul, IGBT-Discretes, IGBT-Chips, ADC/DAC, Thyristor in China und hauptsächlich in der offiziellen Distribution der Marken CRRC, Starpower, Techsem NARI tätig. Mit Import- und Exportqualifikation sowie 11 Jahren Erfahrung in dieser Branche exportieren wir nach Russland, in die Vereinigten Arabischen Emirate und viele andere europäische Länder.
Wir haben strenge Anforderungen an die Auswahl der Hersteller, über professionelle Technik-Teams und Produkt-Qualitätskontrolle verfügen wir, um den reibungslosen Projektablauf für Kunden in den Bereichen Schienenverkehr, Energiewirtschaft, Elektrofahrzeuge, Motorsteuerumrichter und Frequenzumrichter sicherzustellen.
Zudem ist die Unterstützung unserer Kunden bei der Anpassung verschiedener Thyristoren und Leistungsbaugruppen entsprechend ihren speziellen Parametervorgaben ein weiterer wichtiger Bestandteil unserer Vertragsfertigung und einer unserer Vorteile.

办公场景.png

Sichere Lieferung

Wir arbeiten mit führenden internationalen Speditionsunternehmen zusammen, um eine pünktliche Beförderung zu gewährleisten.
Gleichzeitig verpacken wir jede Lieferung sorgfältig gemäß den Anforderungen unserer Kunden, um sicherzustellen, dass die Waren unversehrt und ohne Schäden bei ihnen ankommen.

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