TG1400HF17H1-S300,IGBT-Modul,Halbbrücken-IGBT,CRRC

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Wert

Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

1700

V

VGES

Spannung des Tor-Emitters

TC= 25 °C

± 20

V

IC

Sammler-Emitterstrom

TC = 65 °C

1400

A

IC(PK)

集电极峰值电流

Spitzenstrom des Kollektors

tP=1 ms

2800

A

Pmax

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

6.25

kW

1 t

Diode I2t

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

145

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung - pro Modul

Gemeinsame Anschlüsse zur Basisplatte), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

ICES

Sammler-Abschlusstrom

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

mA

IGES

Durchlässigkeit des Tores

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

Schrankschwellenspannung

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (Sat)

Sättigung des Sammler-Emitters spannung

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

V

IF

Diodenvorwärtsstrom

DC

1400

A

IFRM

Dioden-Spitzenvorwärtsstrom

tP = 1 ms

2800

A

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

V

ISC

Kurzschlussstrom

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden.

5400

A

Cies

Input-Kapazität

Eingangskapazität

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

nF

QG

Gate-Ladung

±15V

11.7

μC

Cres

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

nF

LM

Modulinduktivität

10

nH

RINT

Interne Transistorwiderstand

0.2

mΩ

td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

nS

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

tF

- Ich bin nicht sicher. Herbstzeit

Tvj= 25 °C

460

nS

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

EOFF

Energieverlust bei Abschaltung

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

nS

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

tr

Aufstiegszeit

Tvj= 25 °C

112

nS

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

Einschaltenergieverlust

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Diode Rückwärts

einziehungsgebühr

IF =1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Einfach

Diode Rückwärts

rückgewinnungsstrom

Tvj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erek

Diode Rückwärts

energiewiederherstellung

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290