YMIBD800-17,IGBT-Modul,Dual-Schalter IGBT,CRRC

(Symbol)

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Wert)

(Einheit)

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. 。C

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

TC= 25 。C

± 20

V

I C

Sammler-Emitterstrom

TC = 80 。C

800

A

I C ((PK)

Spitzenstrom des Kollektors

t P=1 ms

1600

A

P max

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

kW

1t

Diode I 2t

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. 。C

120

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung pro Modul

(Gemeinsame Endpunkte zur Unterplatte)

AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 。C

4000

V

Q PD

Teilweise Entladung pro Modul

Die Größe der Verpackung ist: Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu verarbeiten. 。C

10

pC

(Symbol )

(Parameter)

(Prüfbedingungen)

(Min )

(Typ )

(Max )

(Einheit )

I CES

Sammler-Abschlusstrom

V GE = 0V,VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

mA

I GES

Durchlässigkeit des Tores

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

Schrankschwellenspannung

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V

VCE (Sat)

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V

I F

Diodenvorwärtsstrom

gleichstrom DC

800

A

I FRM

Diode maximale Vorwärtsstrom

t P = 1ms

1600

A

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

I F = 800A

1.70

2.00

V

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V

C ies

Eingangskapazität

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

nF

Q g

Gate-Ladung

±15V

9

μC

C res

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

nF

L M

Modulinduktivität

20

nH

R INT

Interne Transistorwiderstand

270

μΩ

I SC

Kurzschlussstrom, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

nS

t f

Herbstzeit

220

nS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

220

mJ

die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

320

nS

t r

Aufstiegszeit

190

nS

EON

Einschaltenergieverlust

160

mJ

Q rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

510

A

E rec

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

180

mJ

td (ausgeschaltet)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

nS

t f

Herbstzeit

280

nS

E OFF

Energieverlust bei Abschaltung

290

mJ

die Daten sind nicht verfügbar.

Verzögerungszeit der Einleitung

400

nS

t r

Aufstiegszeit

250

nS

EON

Einschaltenergieverlust

230

mJ

Q rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

580

A

E rec

Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

280

mJ